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R424系列 DFN2x2小封装 集合锂保芯片与MOS为一体锂电保护IC 极小体积大电流及 4.4V过充保护针对4.35V高压锂电保电路应用
R424B DFN2x2-6 小封装 复合锂电保护 4.42V过充保护 4A过流 高压电芯适用
R424B DFN2x2-6 小封装 复合锂电保护 4.42V过充保护 4A过流 高压电芯适用
RB424内置mos和保护 锂电池二合一保护芯片
概述：
RB424B是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低
阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短
路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效的工作。RB424B采用 DFN2X2-6封装，外围只需要一
个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全可靠。
特性：
内置 36 mΩ MOSFET
超小超薄 DFN2X2-6封装
内置过温保护
二重过放电流检测保护
超小静态电流和休眠电流
A 静态工作电流为 1.7 uA
B 休眠电流为 0.3 uA
6 符合欧洲 "ROHS" 标准的无铅产品
应用：
单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组
